MOSFET器件：

　　MOSFET來自Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Trasistor，Metal就是Gate柵極作為控制極的，而Oxide是柵氧作為場效應(yīng)感應(yīng)反型溝道的，Semiconductor自然就是襯底溝道的硅了，而Field Effect自然就是說它的工作原理了，它的控制極是靠柵極電壓通過柵極氧化層感應(yīng)產(chǎn)生反型溝道實(shí)現(xiàn)源漏導(dǎo)通，從而實(shí)現(xiàn)“0”和“1”的轉(zhuǎn)換。

　　

a、MOS結(jié)構(gòu)

　　MOSFET是四端結(jié)構(gòu)，分別是柵極、源極、漏極、和襯底(Body)。結(jié)構(gòu)上面的柵極是低電阻的材料形成，他與襯底的溝道之間還要有個(gè)薄的柵氧化層。一般情況，源漏極是和襯底以及溝道相反的摻雜類型（比如NMOS的源漏是N-Type，而襯底和溝道就是P-type），所以源漏極之間因?yàn)楦髯缘腜N節(jié)就關(guān)閉了。但是當(dāng)柵極加電壓(NMOS加正電壓，PMOS加負(fù)電壓)，通過柵極氧化層感應(yīng)一個(gè)電場加在了溝道表面，所以襯底的少數(shù)載流子就被吸附到溝道表面累積并反型，最后變得和源漏極摻雜一樣了，從而實(shí)現(xiàn)了源漏極導(dǎo)通。一般柵極的開啟電壓(Vt)會(huì)收到柵極與襯底的功函數(shù)以及柵氧的厚度/質(zhì)量，還有襯底的摻雜濃度共同決定的。